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產(chǎn)品圖片	產(chǎn)品名稱/型號	產(chǎn)品簡單介紹
	ME2807A22M3G ME2807A22,ME2807A22M3G	ME2807A22M3G是高精度低功耗電壓檢測器，采用CMOS工藝技術(shù)制造，檢測電壓**度高達：1%，且溫度漂移小。ME2807A22M3G輸出方式為：CMOS輸出，無需外掛上拉電阻。當電壓降低到2.2V時ME2807A22M3G復位輸出低電平。
	ME2802A43M3G ME2802A43,ME2802A43M3G	ME2802A43M3G是高精度低功耗電壓檢測器，采用CMOS工藝技術(shù)制造，檢測電壓**度高達：1%，且溫度漂移小。ME2802A43M3G輸出方式為：NMOS輸出，輸出端需外掛上拉電阻。ME2802A43M3G待機電流在2uA以內(nèi)；當電壓降低到4.3V時ME2802A43M3G復位輸出低電平。
	ME2802A42M3G ME2802A42,ME2802A42M3G	ME2802A42M3G是高精度低功耗電壓檢測器，采用CMOS工藝技術(shù)制造，檢測電壓**度高達：1%，且溫度漂移小。ME2802A42M3G輸出方式為：NMOS輸出，輸出端需外掛上拉電阻。ME2802A42M3G待機電流在2uA以內(nèi)；當電壓降低到4.2V時ME2802A42M3G復位輸出低電平。
	ME2802A38M3G ME2802A38,ME2802A38M3G	ME2802A38M3G是高精度低功耗電壓檢測器，采用CMOS工藝技術(shù)制造，檢測電壓**度高達：1%，且溫度漂移小。ME2802A38M3G輸出方式為：NMOS輸出，輸出端需外掛上拉電阻。ME2802A38M3G待機電流在2uA以內(nèi)；當電壓降低到3.8V時ME2802A38M3G復位輸出低電平。
	ME2802A35M3G ME2802A35,ME2802A35M3G	ME2802A35M3G是高精度低功耗電壓檢測器，采用CMOS工藝技術(shù)制造，檢測電壓**度高達：1%，且溫度漂移小。ME2802A35M3G輸出方式為：NMOS輸出，輸出端需外掛上拉電阻。ME2802A35M3G待機電流在2uA以內(nèi)；當電壓降低到3.5V時ME2802A35M3G復位輸出低電平。
	ME2802A33M3G ME2802A33,ME2802A33M3G	ME2802A33M3G是高精度低功耗電壓檢測器，采用CMOS工藝技術(shù)制造，檢測電壓**度高達：1%，且溫度漂移小。ME2802A33M3G輸出方式為：NMOS輸出，輸出端需外掛上拉電阻。ME2802A33M3G待機電流在2uA以內(nèi)；當電壓降低到3.0V時ME2802A33M3G復位輸出低電平。
	ME2802A30M3G ME2802A30,ME2802A30M3G	ME2802A30M3G是高精度低功耗電壓檢測器，采用CMOS工藝技術(shù)制造，檢測電壓**度高達：1%，且溫度漂移小。ME2802A30M3G輸出方式為：NMOS輸出，輸出端需外掛上拉電阻。ME2802A30M3G待機電流在2uA以內(nèi)；當電壓降低到3.0V時ME2802A30M3G復位輸出低電平。
	ME2802A27M3G ME2802A27,ME2802A27M3G	ME2802A27M3G是高精度低功耗電壓檢測器，采用CMOS工藝技術(shù)制造，檢測電壓**度高達：1%，且溫度漂移小。ME2802A27M3G輸出方式為：NMOS輸出，輸出端需外掛上拉電阻。ME2802A27M3G待機電流在2uA以內(nèi)；當電壓降低到2.7V時ME2802A27M3G復位輸出低電平。
	ME2802A25M3G ME2802A25,ME2802A25M3G	ME2802A25M3G是高精度低功耗電壓檢測器，采用CMOS工藝技術(shù)制造，檢測電壓**度高達：1%，且溫度漂移小。ME2802A25M3G輸出方式為：NMOS輸出，輸出端需外掛上拉電阻。ME2802A25M3G待機電流在2uA以內(nèi)；當電壓降低到2.5V時ME2802A25M3G復位輸出低電平。
	ME2802A24M3G ME2802A24,ME2802A24M3G	ME2802A24M3G是高精度低功耗電壓檢測器，采用CMOS工藝技術(shù)制造，檢測電壓**度高達：1%，且溫度漂移小。ME2802A24M3G輸出方式為：NMOS輸出，輸出端需外掛上拉電阻。ME2802A24M3G待機電流在2uA以內(nèi)；當電壓降低到2.4V時ME2802A24M3G復位輸出低電平。
	ME2802A22 ME2802A22,ME2802A22M3G	ME2802A22M3G是高精度低功耗電壓檢測器，采用CMOS工藝技術(shù)制造，檢測電壓**度高達：1%，且溫度漂移小。ME2802A22M3G輸出方式為：NMOS輸出，輸出端需外掛上拉電阻。ME2802A22M3G待機電流在2uA以內(nèi)；當電壓降低到2.2V時ME2802A22M3G復位輸出低電平。
	ME2801A43M3G ME2801A43M3G	ME2801A43M3G是高精度低功耗電壓檢測器，采用CMOS工藝技術(shù)制造，檢測電壓**度高達：1%，且溫度漂移小。ME2801A43M3G輸出方式為：CMOS輸出，無需外掛上拉電阻。當電壓降低到4.2V時ME2801A43M3G復位輸出高電平。
	ME2801B42M3G ME2801B42M3G	ME2801B42M3G是高精度低功耗電壓檢測器，采用CMOS工藝技術(shù)制造，檢測電壓**度高達：1%，且溫度漂移小。ME2801B42M3G輸出方式為：CMOS輸出，無需外掛上拉電阻。當電壓降低到4.2V時ME2801B42M3G復位輸出高電平。
	ME2802A22M3G ME2802A22,ME2802A22M3G	ME2802A22M3G是高精度低功耗電壓檢測器，采用CMOS工藝技術(shù)制造，檢測電壓**度高達：1%，且溫度漂移小。ME2802A22M3G輸出方式為：NMOS輸出，輸出端需外掛上拉電阻。ME2802A22M3G待機電流在2uA以內(nèi)；當電壓降低到2.2V時ME2802A22M3G復位輸出低電平。
	ME2801B415PG ME2801B415PG	ME2801B415PG是高精度低功耗電壓檢測器，采用CMOS工藝技術(shù)制造，檢測電壓**度高達：1%，且溫度漂移小。ME2801B415PG輸出方式為：CMOS輸出，無需外掛上拉電阻。當電壓降低到4.15V時ME2801B415PG復位輸出高電平。
	ME2801A42M3G ME2801A42M3G	ME2801A42M3G是高精度低功耗電壓檢測器，采用CMOS工藝技術(shù)制造，檢測電壓**度高達：1%，且溫度漂移小。ME2801A42M3G輸出方式為：CMOS輸出，無需外掛上拉電阻。當電壓降低到4.2V時ME2801A42M3G復位輸出低電平。
	ME2801A40M3G ME2801A40M3G,ME2801A40PG	ME2801A40M3G是高精度低功耗電壓檢測器，采用CMOS工藝技術(shù)制造，檢測電壓**度高達：1%，且溫度漂移小。ME2801A40M3G輸出方式為：CMOS輸出，無需外掛上拉電阻。當電壓降低到4.0V時ME2801A40M3G復位輸出低電平。
	ME2801A38M3G ME2801A38,ME2801A38M3G	ME2801A38M3G是高精度低功耗電壓檢測器，采用CMOS工藝技術(shù)制造，檢測電壓**度高達：1%，且溫度漂移小。ME2801A38M3G輸出方式為：CMOS輸出，無需外掛上拉電阻。當電壓降低到3.8V時ME2801A38M3G復位輸出低電平。
	ME2801A35M3G ME2801A35,ME2801A35M3G	ME2801A35M3G是高精度低功耗電壓檢測器，采用CMOS工藝技術(shù)制造，檢測電壓**度高達：1%，且溫度漂移小。ME2801A35M3G輸出方式為：CMOS輸出，無需外掛上拉電阻。當電壓降低到3.5V時ME2801A35M3G復位輸出低電平。
	ME2801A33 ME2801A33M3G,ME2801A33PG	ME2801A33是高精度低功耗電壓檢測器，采用CMOS工藝技術(shù)制造，檢測電壓**度高達：1%，且溫度漂移小。ME2801A33輸出方式為：CMOS輸出，無需外掛上拉電阻。當電壓降低到2.7V時ME2801A33復位輸出低電平。

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